2SB649 — биполярный, кремниевый, мощный транзистор. Применяется в каскадах усилителей звуковых частот.
Характеристики транзистора 2SB649
- Структура : PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 120 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 180 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 1.50 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 60 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 140.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 20.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
- Корпус : TO-126
Транзистор 2SB649 может иметь коэффициент усиления по току от 60 до 320:
- 2SB649-B от 60 до 120
- 2SB649-C от 100 до 200
- 2SB649-D от 160 до 320
Маркировка 2SB649
Иногда на корпусе отсутствует приставка «2S», поэтому транзистор 2SB649 может иметь маркировку «B649».
Цоколевка транзистора 2SB649
Габаритные и установочные размеры транзистора 2SB649
Аналог транзистора 2SB649
Вы можете заменить 2SB649 на: 2SA1021
Комплементарной парой 2SB649 является транзистор 2SD669.