Транзистор 2SB649: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

2SB649 — биполярный, кремниевый, мощный транзистор. Применяется в каскадах  усилителей звуковых частот.

Характеристики транзистора 2SB649

• Структура : PNP
• Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 120 В
• Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 180 В
• Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 5 В
• Допустимый ток коллектора I_к (max) : 1.50 А
• Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 140.0 МГц
• Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 20.00 Вт
• Диапазон рабочих температур T_max : от -55 до +150 ˚C
• Корпус : TO-126

Транзистор 2SB649 может иметь коэффициент усиления по току от 60 до 320:

• 2SB649-B от 60 до 120
• 2SB649-C от 100 до 200
• 2SB649-D от 160 до 320

Маркировка 2SB649

Иногда на корпусе отсутствует приставка «2S», поэтому транзистор 2SB649 может иметь маркировку «B649».

Цоколевка транзистора 2SB649

Габаритные и установочные размеры транзистора 2SB649

Аналог транзистора 2SB649

Вы можете заменить 2SB649 на: 2SA1021

Комплементарной парой 2SB649 является транзистор 2SD669.

Datasheet 2SB649