2SB1109 — биполярный, кремниевый транзистор малой мощности. Применяется в каскадах для усилителей звуковых частот, транзисторных видеоусилителях.
Характеристики транзистора 2SB1109
- Структура : PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 160 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 160 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.10 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 60 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 140.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 1.25 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -50 до +150 ˚C
- Корпус : TO-126
Транзистор 2SB1109 может иметь коэффициент усиления по току от 60 до 320:
- 2SB1109-B от 60 до 120
- 2SB1109-C от 100 до 200
- 2SB1109-D от 160 до 320
Маркировка 2SB1109
Иногда префикс «2S» не указывается на упаковке — 2SB1109 может быть отмечен как «B1109».
Цоколевка транзистора 2SB1109
Габаритные и установочные размеры транзистора 2SB1109
Аналог транзистора 2SB1109
Вы можете заменить 2SB1109 на: 2SA1220A, 2SA1352, 2SA1353, 2SA1380, 2SA1381, 2SA1406, 2SA1407, 2SA1478, 2SA1479, 2SA1480, 2SA1540, 2SA1541, 2SB1110, HSB1109, KSA1220A, KSA1381.
Комплементарной парой 2SB1109 является транзистор 2SD1609.

Блок питания 0...30В/3A
Набор для сборки регулируемого блока питания...