2N6717 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности.
Характеристики транзистора 2N6717
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 80 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 80 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 2.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 50 до 250
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 50.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 2.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : TO-237
Цоколевка транзистора 2N6717
Габаритные и установочные размеры транзистора 2N6717
Аналог транзистора 2N6717
Вы можете заменить 2N6717 на: 2N6718.
Комплементарной парой 2N6717 является транзистор 2N6729.