S8050 – биполярный, кремниевый высокочастотный транзистор, имеющий n-p-n структуру. Этот популярный транзистор используется в схемах коммутации и усиления. Выпускается в пластмассовом корпусе (TO-92) с гибкими выводами.
Характеристики транзистора S8050
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 25 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 40 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.50 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 85 до 300
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 150.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.63 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : TO-92
Транзистор S8050 может иметь коэффициент усиления по току от 85 до 300:
- S8050B от 85 до 160
- S8050C от 120 до 200
- S8050D от 160 до 300
Цоколевка транзистора S8050
Транзистор S8050 выполнен в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз: слева направо — эмиттер, база, коллектор.
Габаритные и установочные размеры транзистора S8050
Аналог транзистора S8050
Вы можете заменить S8050 на: 2SD471A, MPS650, MPS650G, MPS6532, MPS6601, MPS6601G, MPS6602, MPS6602G, MPS8050, MPSW01, MPSW01A, MPSW01AG, MPSW01G, S9013, SS8050.
Комплементарная пара транзистора S8050 — транзистор S8550.