Транзистор PN200: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

PN200 — биполярный, кремниевый транзистор малой мощности. Транзистор общего применения. 

Характеристики транзистора PN200

• Структура : PNP
• Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 45 В
• Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 75 В
• Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 6 В
• Допустимый ток коллектора I_к (max) : 0.50 А
• Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 100 до 450
• Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 250.0 МГц
• Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 0.63 Вт
• Диапазон рабочих температур T_max : от -65 до +150 ˚C
• Корпус : TO-92

Цоколевка транзистора PN200

PN200 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, база, коллектор.

Габаритные и установочные размеры транзистора PN200

Аналог транзистора PN200

Вы можете заменить PN200 на: KSP55, KSP56, MPS4354, MPS751, MPS751G, MPSA55, MPSA55G, MPSA56, MPSA56G, MPSW55, MPSW55G, MPSW56, MPSW56G, PN4354.

Комплементарной парой PN200 является транзистор PN100.

SMD версия PN200: MMBT200 (SOT-23).

Datasheet PN200