MMBT5551 — биполярный, кремниевый, маломощный транзистор. Используется в усилителях и драйверах.
Характеристики транзистора MMBT5551
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 160 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 180 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 6 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.60 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 80 до 250
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 100.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.35 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
- Корпус : SOT-23
SMD маркировка транзистора MMBT5551
- 3S или G1 — MMBT5551 (SOT-23)
Цоколевка транзистора MMBT5551
Габаритные и установочные размеры транзистора MMBT5551
Аналог транзистора MMBT5551
Вы можете заменить MMBT5551 на: 2N5551S, KST5551.
Комплементарной парой MMBT5551 является транзистор MMBT5401.