Главная » Справочник » Транзистор MMBT5551: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Транзистор MMBT5551: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

MMBT5551 — биполярный, кремниевый, маломощный транзистор. Используется в усилителях и драйверах.

Характеристики транзистора MMBT5551

  • Структура : NPN
  • Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 160 В
  • Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 180 В
  • Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 6 В
  • Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.60 А
  • Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 80 до 250
  • Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 100.0 МГц
  • Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.35 Вт
  • Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
  • Корпус : SOT-23

SMD маркировка транзистора MMBT5551

  • 3S или G1 — MMBT5551 (SOT-23)

Транзистор MMBT5551 - фото

Цоколевка транзистора MMBT5551

Транзистор MMBT5551 - цоколевка

Габаритные и установочные размеры транзистора MMBT5551

Транзистор MMBT5551 - размеры

Аналог транзистора MMBT5551

Вы можете заменить MMBT5551 на: 2N5551S, KST5551.

Комплементарной парой MMBT5551 является транзистор MMBT5401.

Datasheet MMBT5551




Добавить комментарий


.