Транзистор MMBT5551: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

MMBT5551 — биполярный, кремниевый, маломощный транзистор. Используется в усилителях и драйверах.

Характеристики транзистора MMBT5551

• Структура : NPN
• Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 160 В
• Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 180 В
• Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 6 В
• Допустимый ток коллектора I_к (max) : 0.60 А
• Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 80 до 250
• Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 100.0 МГц
• Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 0.35 Вт
• Диапазон рабочих температур T_max : от -55 до +150 ˚C
• Корпус : SOT-23

SMD маркировка транзистора MMBT5551

• 3S или G1 — MMBT5551 (SOT-23)

Цоколевка транзистора MMBT5551

Габаритные и установочные размеры транзистора MMBT5551

Аналог транзистора MMBT5551

Вы можете заменить MMBT5551 на: 2N5551S, KST5551.

Комплементарной парой MMBT5551 является транзистор MMBT5401.

Datasheet MMBT5551