2N5551 — биполярный, кремниевый высокочастотный транзистор средней мощности. Предназначен для работы в низкочастотных устройствах общего применения с малым уровнем шума и повышенным напряжением питания.
Характеристики транзистора 2N5551
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 160 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 180 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 6 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.60 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 80 до 250
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 100.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.63 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
- Корпус : TO-92
Цоколевка транзистора 2N5551
2N5551 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, база, коллектор. Транзистор 2N5551C (суффикс «С») с центральным коллектором.
Габаритные и установочные размеры транзистора 2N5551
Аналог транзистора 2N5551
Вы можете заменить 2N5551 на: 2N5551G, 2N5833, NTE194.
Комплементарной парой 2N5551 является транзистор 2N5401.
Бессвинцовой версией 2N5551 является транзистор 2N5551G.
SMD версия 2N5551: 2N5551S (SOT-23), DXT5551 (SOT-89), DZT5551 (SOT-223), KST43 (SOT-23), KST5551 (SOT-23), MMBT5551 (SOT-23), PMBT5551 (SOT-23).
