MJD112 — биполярный, кремниевый, составной транзистор (пара Дарлингтона) большой мощности. Применяется в схемах коммутации, усилителях, преобразователях и источниках питания.
Характеристики транзистора MJD112
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 100 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 100 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 2.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 1000 до 12000
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 25.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 20.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : TO-252
Цоколевка транзистора MJD112
Габаритные и установочные размеры транзистора MJD112
Аналог транзистора MJD112
Вы можете заменить MJD112 на: MJD112T4, MJD122, MJD122T4.
Комплементарной парой MJD112 является транзистор MJD117.
Бессвинцовой версией MJD112 является транзистор MJD112G.
SMD версия MJD112: FMMT624 (SOT-23, FZT694B (SOT-223).
