MJ11032 — биполярный, кремниевый, мощный составной транзистор (пара Дарлингтона). Применяется в схемах коммутации, усилителях, преобразователях напряжения и источниках питания.
Характеристики транзистора MJ11032
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 120 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 120 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 50.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 1000 до 18000
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 300.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +200 ˚C
- Корпус : TO-3
Эквивалентная схема MJ11032
Цоколевка транзистора MJ11032
Габаритные и установочные размеры транзистора MJ11032
Аналог транзистора MJ11032
Вы можете заменить MJ11032 на: MJ11032G.
Комплементарной парой MJ11032 является транзистор MJ11033.
Бессвинцовой версией MJ11032 является транзистор MJ11032G.
