Транзистор 2N5195: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

2N5195 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности общего назначения.

Характеристики транзистора 2N5195

• Структура : PNP
• Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 80 В
• Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 80 В
• Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 5 В
• Допустимый ток коллектора I_к (max) : 4.00 А
• Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 20 до 80
• Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 2.0 МГц
• Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 40.00 Вт
• Диапазон рабочих температур T_max : от -65 до +150 ˚C
• Корпус : TO-126

Цоколевка транзистора 2N5195

Габаритные и установочные размеры транзистора 2N5195

Аналог транзистора 2N5195

Вы можете заменить 2N5195 на: 2N4918, 2N4919, 2N4920, 2N5193, 2N5194, 2SB577, 2SB743, BD136, BD140, MJE253, MJE254, MJE370, MJE712.

Комплементарной парой 2N5195 является транзистор 2N5192.

Бессвинцовой версией 2N5195 является транзистор 2N5195G.

Datasheet 2N5195