2N5195 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности общего назначения.
Характеристики транзистора 2N5195
- Структура : PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 80 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 80 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 4.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 20 до 80
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 2.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 40.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : TO-126
Цоколевка транзистора 2N5195
Габаритные и установочные размеры транзистора 2N5195
Аналог транзистора 2N5195
Вы можете заменить 2N5195 на: 2N4918, 2N4919, 2N4920, 2N5193, 2N5194, 2SB577, 2SB743, BD136, BD140, MJE253, MJE254, MJE370, MJE712.
Комплементарной парой 2N5195 является транзистор 2N5192.
Бессвинцовой версией 2N5195 является транзистор 2N5195G.