2SD1616 — биполярный, кремниевый транзистор малой мощности.
Характеристики транзистора 2SD1616
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 50 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 60 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 6 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 1.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 135 до 600
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 160.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.75 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
- Корпус : TO-92
Транзистор 2SD1616 может иметь коэффициент усиления по току от 135 до 600:
- 2SD1616-L от 135 до 270
- 2SD1616-K от 200 до 400
- 2SD1616-U от 300 до 600
Маркировка 2SD1616
Иногда префикс «2S» не указывается на корпусе — 2SD1616 может иметь обозначение «D1616».
Цоколевка транзистора 2SD1616
2SD1616 изготавливается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо: эмиттер, коллектор, база.
Габаритные и установочные размеры транзистора 2SD1616
Аналог транзистора 2SD1616
Вы можете заменить 2SD1616 на: 2SD789, KSD1616.
Комплементарной парой 2SD1616 является транзистор 2SB1116.
SMD версия 2SD1616: 2SD1615 (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), FMMTA05 (SOT-23), KST05 (SOT-23), MMBTA05 (SOT-23), PZTA05 (SOT-223), SMBTA05 (SOT-23).
