BSP52 — биполярный, кремниевый транзистор малой мощности общего назначения.
Характеристики транзистора BSP52
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 80 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 90 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 1.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : 1000
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 200.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 1.25 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : SOT-223
Цоколевка транзистора BSP52
Габаритные и установочные размеры транзистора BSP52
Аналог транзистора BSP52
Вы можете заменить BSP52 на: BSP52T1, BSP52T1G, BSP52T3.
Комплементарной парой BSP52 является транзистор BSP62.