2N6517 — биполярный, кремниевый, маломощный, высоковольтный транзистор общего назначения.
Характеристики транзистора 2N6517
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 350 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 350 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 6 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.50 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 20 до 200
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 40.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.63 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
- Корпус : TO-92
Цоколевка транзистора 2N6517
2N6517 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо — эмиттер, база, коллектор. Транзистор 2N6517C (с буквой «С») с центральным коллектором.
Габаритные и установочные размеры транзистора 2N6517
Аналог транзистора 2N6517
Вы можете заменить 2N6517 на: 2SD1701, 2STL2580, BF844, BF845, BFP14, STX616.
Комплементарной парой 2N6517 является транзистор 2N6520.