Транзистор 2N5089: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

2N5089 — биполярный, кремниевый транзистор малой мощности. Используется в схемах усиления.

Характеристики транзистора 2N5089

• Структура : NPN
• Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 25 В
• Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 30 В
• Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 3 В
• Допустимый ток коллектора I_к (max) : 0.05 А
• Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 400 до 1200
• Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 50.0 МГц
• Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 0.63 Вт
• Диапазон рабочих температур T_max : от -55 до +150 ˚C
• Корпус : TO-92

Цоколевка транзистора 2N5089

2N5089 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо : эмиттер, база, коллектор.

Габаритные и установочные размеры транзистора 2N5089

Аналог транзистора 2N5089

Вы можете заменить 2N5089 на: MPS650, MPS6532, PS6601, MPS6602, MPSH10, PSW01, PSW01A, TX690B.

SMD версия 2N5089: MMBT5089 (SOT-23), MMBTH10 (SOT-23).

Datasheet 2N5089