2N5089 — биполярный, кремниевый транзистор малой мощности. Используется в схемах усиления.
Характеристики транзистора 2N5089
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 25 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 30 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 3 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 0.05 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 400 до 1200
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 50.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 0.63 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
- Корпус : TO-92
Цоколевка транзистора 2N5089
2N5089 выпускается в пластиковом корпусе ТО-92. Если смотреть на плоскую сторону с выводами, направленными вниз, слева направо : эмиттер, база, коллектор.
Габаритные и установочные размеры транзистора 2N5089
Аналог транзистора 2N5089
Вы можете заменить 2N5089 на: MPS650, MPS6532, PS6601, MPS6602, MPSH10, PSW01, PSW01A, TX690B.
SMD версия 2N5089: MMBT5089 (SOT-23), MMBTH10 (SOT-23).