Главная » Источники питания » Защита аккумулятора от глубокого разряда своими руками. Схема

Защита аккумулятора от глубокого разряда своими руками. Схема

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор
Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров...
Подробнее

Защита аккумулятора от глубокого разряда. Эта схема предотвращает глубокий разряд аккумулятора и защищает устройство, подключенное к такому аккумулятору от снижения напряжения ниже заданного уровня.

В процессе разрядки при достижении минимального напряжения на аккумуляторе схема отключает нагрузку. Данное устройство можно использовать совместно в работе с такими аккумуляторами как литий-полимерные (Li-Pol), литий-ионные (Li-Ion), никель-кадмиевые (NiCd), никель-металлогидридные (NiMH), свинцово-кислотные (SLA).

Ниже на рисунке 1 приведена схема защиты аккумулятора от глубокого разряда. Сумма напряжений: Uбэ транзистора VT1 (BC557, BC327), стабилитрона VD1 и падение напряжения на резисторе R1 определяет порог отключения нагрузки.

Защита аккумулятора от глубокого разряда своими руками. Схема вариант 1

Для того чтобы подать питание на нагрузку необходимо нажать кнопку SA1. Если напряжение аккумулятора достаточное, то транзисторы VТ1 и VТ2 открываются, обеспечивая питание нагрузки.

При значительном снижении напряжения на аккумуляторе (ниже установленного порога), стабилитрон перестает проводить ток, вследствие чего транзисторы VТ1 и VТ2 закрываются. Благодаря наличию положительной обратной связи отключение нагрузки всегда происходит мгновенно, и нет риска постепенного отключения транзисторов.

Для обеспечения минимальных потерь в качестве транзистора VT2 применен MOSFET (например, IRF3205 или IPB06N03LA).

На рисунке 2 представлена немного измененная схема, где кнопка SA1 позволяет как включать, так и выключать нагрузку. Таким образом, такой вариант устройства служит не только защитой аккумулятора от глубокого разряда, но и выключателем.

Защита аккумулятора от глубокого разряда своими руками. Схема вариант 2

Минимальное входное напряжение зависит от напряжения, при котором транзистор VТ2 надежно закрывается. Максимальное входное напряжение зависит от максимального напряжения затвор-исток MOSFET транзистора VT2.

Магнитный держатель печатной платы
Прочная металлическая основа с порошковым покрытием, четыре гибкие руч...
Подробнее

Для типичных полевых MOSFET-транзисторов оно составляет около 5 В, для полевых MOSFET-транзисторов с малым отпирающим напряжением (logic level транзисторы) схема может работать с более низким напряжением аккумулятора. В таком случае, возможно, использовать, например, один Li-Ion / Li-Pol аккумулятор, который имеет минимальное напряжение около 3,4 В. При малых напряжениях стабилитрон VD1 можно заменить несколькими последовательно соединенными диодами.

Примечание: желательно в цепь последовательно с аккумулятором подключить плавкий предохранитель, иначе в случае выхода из строя схемы есть риск возгорания.




Добавить комментарий