BD876 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности.
Характеристики транзистора BD876
- Структура : PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 45 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 60 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 1.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : 2000
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 200.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 9.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : TO-126
Цоколевка транзистора BD876
Габаритные и установочные размеры транзистора BD876
Аналог транзистора BD876
Вы можете заменить BD876 на: 2SB1067, 2SB794, 2SB795, BD878, BD880, KSB794, KSB795.
Комплементарной парой BD876 является транзистор BD875.