BD875 — биполярный, кремниевый, составной транзистор (пара Дарлингтона) средней мощности. Используется в системах автоматизации, УЗЧ.
Характеристики транзистора BD875
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 45 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 60 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 1.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : 2000
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 200.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 9.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : TO-126
Цоколевка транзистора BD875
Габаритные и установочные размеры транзистора BD875
Аналог транзистора BD875
Вы можете заменить BD875 на: 2SD1509, 2SD985, 2SD985-K, 2SD985-L, 2SD985-M, 2SD986, 2SD986-K, 2SD986-L, 2SD986-M, BD877, BD879, KSB985, KSB985-O, KSB985-R, KSB985-Y, KSB986, KSB986-O, KSB986-R, KSB986-Y.
Комплементарной парой BD875 является транзистор BD876.