BD649 — биполярный, кремниевый, мощный составной транзистор (пара Дарлингтона). Применяется в схемах коммутации, усилителях, преобразователях и источниках питания.
Характеристики транзистора BD649
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 100 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 120 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 8.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : 750
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 62.50 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : TO-220
Цоколевка транзистора BD649
Габаритные и установочные размеры транзистора BD649
Аналог транзистора BD649
Вы можете заменить BD649 на: 2N6045, 2N6532, 2SD1196, 2SD1830, BD651, BD901, BDW42, BDW43, MJF6388, TIP102, TIP132, TIP142T.
Комплементарной парой BD649 является транзистор BD650.
