BD536 — биполярный, кремниевый транзистор большой мощности. Применяется в основном в источниках питания.
Характеристики транзистора BD536
- Структура : PNP
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 60 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 60 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 8.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 40 до 75
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 3.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 50.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -65 до +150 ˚C
- Корпус : TO-220
Транзистор BD536 может иметь коэффициент усиления по току от 40 до 100:
- BD536J от 30 до 75
- BD536K от 40 до 100
Цоколевка транзистора BD536
Габаритные и установочные размеры транзистора BD536
Аналог транзистора BD536
Вы можете заменить BD536 на: 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2N6667, 2N6668, 2SA1077, 2SA1291, 2SA1329, 2SA1452, 2SA1471, 2SA1743, 2SA1744, 2SB1225, 2SB1228, 2SB882, 2SB886, 2SB951, BD538, BD646, BD648, BD650, BD652, BD898, BD900, BD902, BDT62, BDT64, BDT82, BDT84, BDT86, BDT88, BDW45, BDW46, BDW47, BDW48, D45H11, D45H8, MJE15029, MJF6668, TIP105, TIP106, TIP107, TIP135, TIP136, TIP137, TTA1452B, TTB1452B.
Комплементарной парой BD536 является транзистор BD535.
SMD версия BD536: STN951 (SOT-223).