Транзистор BD536: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

BD536 — биполярный, кремниевый транзистор большой мощности. Применяется в основном в источниках питания.

Характеристики транзистора BD536

• Структура : PNP
• Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 60 В
• Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 60 В
• Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 5 В
• Допустимый ток коллектора I_к (max) : 8.00 А
• Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 40 до 75
• Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 3.0 МГц
• Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 50.00 Вт
• Диапазон рабочих температур T_max : от -65 до +150 ˚C
• Корпус : TO-220

Транзистор BD536 может иметь коэффициент усиления по току от 40 до 100:

• BD536J от 30 до 75
• BD536K от 40 до 100

Цоколевка транзистора BD536

Габаритные и установочные размеры транзистора BD536

Аналог транзистора BD536

Вы можете заменить BD536 на: 2N6040, 2N6041, 2N6042, 2N6667, 2N6668, 2SA1077, 2SA1291, 2SA1329, 2SA1452, 2SA1471, 2SA1743, 2SA1744, 2SB1225, 2SB1228, 2SB882, 2SB886, 2SB951, BD538, BD646, BD648, BD650, BD652, BD898, BD900, BD902, BDT62, BDT64, BDT82, BDT84, BDT86, BDT88, BDW45, BDW46, BDW47, BDW48, D45H11, D45H8, MJE15029, MJF6668, TIP105, TIP106, TIP107, TIP135, TIP136, TIP137, TTA1452B, TTB1452B.

Комплементарной парой BD536 является транзистор BD535.

SMD версия BD536: STN951 (SOT-223).

Datasheet BD536