BD509 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности. Область применения — задающие и выходные каскады УЗЧ.
Характеристики транзистора BD509
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 40 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 50 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 2.00 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : 60
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 250.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 8.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
- Корпус : TO-202
Цоколевка транзистора BD509
Габаритные и установочные размеры транзистора BD509
Аналог транзистора BD509
Вы можете заменить BD509 на: BD515, BD517, BD519.
Комплементарной парой BD509 является транзистор BD510.
SMD версия BD509: 2SC2873 (SOT-89), 2SD1615 (SOT-89), 2SD1615-GK (SOT-89), 2SD1615-GL (SOT-89), 2SD1615-GM (SOT-89), 2SD1622 (SOT-89), 2SD1623 (SOT-89), 2SD874A (SOT-89), BSP50 (SOT-223, FMMT619 (SOT-23).