2N7002 — Маломощный N-канальный MOSFET транзистор с логическим уровнем управления и низким сопротивлением в открытом состоянии. Транзистор 2N7002 имеет низкое пороговое напряжение затвор—исток, равное 2,1 В, что позволяет использовать его в схемах с логическим уровнем 3,3.
Поскольку 2N7002 имеет низкое сопротивление в открытом состоянии, он имеет высокую эффективность. Благодаря этому свойству он может поддерживать высокую производительность переключения и поэтому данный транзистор широко используется в схемах управления питанием.
Одним существенным недостатком MOSFET 2N7002 является его низкий ток стока. Он может обеспечить при максимальном пороговом напряжении непрерывный ток 200 мА и пиковый ток 1 А.
Параметры транзистора 2N7002
- Напряжение сток-исток Uси (max): 60В
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 200 мА
- Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: <5Ом
- Рассеиваемая мощность Pси (max): 0.35Вт
- Крутизна характеристики : 80S
- Пороговое напряжение на затворе: 1…3В
- Корпус: TO-92 и SOT23-3L
Габаритные и установочные размеры транзистора 2N7002
Цоколевка транзистора 2N7002
Аналог 2N7002
зарубежный аналог:
- BSS7728N
- RK7002
- SN7002N
- BSS138
- DMN601K
отечественный аналог:
- КП214А9
Datasheet 2N7002 (127,4 KiB, скачано: 1 604)
