IRF830 – N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRF830 может переключать нагрузки с напряжением до 500 В и током стока 4,5 А.
Одним из существенных недостатков транзистора IRF830 является высокое сопротивления открытого канала, которое составляет около 1,5 Ом. Следовательно, этот MOSFET транзистор нежелательно использовать в схемах, где требуется высокая эффективность переключения.
Параметры транзистора IRF830
- Напряжение сток-исток Uси (max): 500В
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 4,5А
- Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 1500 мОм
- Рассеиваемая мощность Pси (max): 74Вт
- Крутизна характеристики : 2.5S
- Пороговое напряжение на затворе: 2…4В
- Корпус: TO-220AB
Габаритные и установочные размеры транзистора IRF830
Цоколевка транзистора IRF830
Аналог транзистора IRF830
зарубежный аналог:
- BUZ41A
- D84DR2
- RFP7N50
- VN5001D
- 2SK1751
- 2SK893
- BUZ41A
- STP5NA50
отечественный аналог:
- КП753А
- КП830
Datasheet IRF830 (235,0 KiB, скачано: 954)
