Транзистор 2SD669: параметры, цоколевка, аналог, datasheet

2SD669 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности. Применяется в схемах усилителей, генераторов, источников питания.

Характеристики транзистора 2SD669

• Структура : NPN
• Напряжение коллектор-эмиттер U_кэо (max) : 120 В
• Напряжение коллектор-база U_кбо (max) : 180 В
• Напряжение эмиттер-база U_эбо (max) : 5 В
• Допустимый ток коллектора I_к (max) : 1.50 А
• Коэффициент усиления транзистора по току hf_э : от 60 до 320
• Граничная частота коэффициента передачи тока f_гр : 140.0 МГц
• Рассеиваемая мощность коллектора P_к (max) : 20.00 Вт
• Диапазон рабочих температур T_max : от -55 до +150 ˚C
• Корпус : TO-126

Транзистор 2SD669 может иметь коэффициент усиления по току от 60 до 320:

• 2SD669-B от 60 до 120
• 2SD669-C от 100 до 200
• 2SD669-D от 160 до 320

Маркировка 2SD669

Иногда на корпусе отсутствует приставка «2S», поэтому транзистор 2SD669 может иметь маркировку «D669«.

Цоколевка транзистора 2SD669

Габаритные и установочные размеры транзистора 2SD669

Аналог транзистора 2SD669

Вы можете заменить 2SD669 на: 2SC2481.

Комплементарной парой 2SD669 является транзистор 2SB649.

Datasheet 2SD669