2SD669 — биполярный, кремниевый транзистор средней мощности. Применяется в схемах усилителей, генераторов, источников питания.
Характеристики транзистора 2SD669
- Структура : NPN
- Напряжение коллектор-эмиттер Uкэо (max) : 120 В
- Напряжение коллектор-база Uкбо (max) : 180 В
- Напряжение эмиттер-база Uэбо (max) : 5 В
- Допустимый ток коллектора Iк (max) : 1.50 А
- Коэффициент усиления транзистора по току hfэ : от 60 до 320
- Граничная частота коэффициента передачи тока fгр : 140.0 МГц
- Рассеиваемая мощность коллектора Pк (max) : 20.00 Вт
- Диапазон рабочих температур Tmax : от -55 до +150 ˚C
- Корпус : TO-126
Транзистор 2SD669 может иметь коэффициент усиления по току от 60 до 320:
- 2SD669-B от 60 до 120
- 2SD669-C от 100 до 200
- 2SD669-D от 160 до 320
Маркировка 2SD669
Иногда на корпусе отсутствует приставка «2S», поэтому транзистор 2SD669 может иметь маркировку «D669«.
Цоколевка транзистора 2SD669
Габаритные и установочные размеры транзистора 2SD669
Аналог транзистора 2SD669
Вы можете заменить 2SD669 на: 2SC2481.
Комплементарной парой 2SD669 является транзистор 2SB649.

Тестер транзисторов / ESR-метр / генератор
Многофункциональный прибор для проверки транзисторов, диодов, тиристоров...