IRF840 – это N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный высоковольтный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRF840 идеально подходит для управления мощной нагрузкой, поскольку из-за малого сопротивления n-канала мощность рассеивания достигает 125 Вт.
Параметры транзистора IRF840
- Напряжение сток-исток Uси (max): 500В
- Ток сток-исток при 25 С Iси (max): 8А
- Напряжение затвор-исток Uзи (max): ±20В
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 850 мОм
- Рассеиваемая мощность Pси (max): 125Вт
- Крутизна характеристики : 4,9S
- Пороговое напряжение на затворе: 4В
- Корпус: TO-220AB
Габаритные и установочные размеры транзистора IRF840
Цоколевка транзистора IRF840
Аналог IRF840
зарубежный аналог:
- 2SK1574
- 2SK1864
- 2SK554
- 2SK555
- BUZ41
- BUZ42
- D84ER2
- ECG2385
- IRF841
- ST8NA50
отечественный аналог:
- КП777А
- КП840
Datasheet IRF840 (77,2 KiB, скачано: 4 111)
Спасибо !
Ок