Низковольтный H-мост на полевых транзисторах IRF7307

На рынке электронных компонентов видна четкая ниша в виде отсутствия интегрированных H-мостов, которые могли бы управлять нагрузкой, потребляющей значительный ток (порядка 2 А) при малом напряжении питания (порядка 3 В). Этот проект может стать решением этой проблемы. В качестве исполнительных элементов в Н-мосте использованы транзисторы IRF7307 производства International Rectifier.

В корпусе SO-8 размещены два транзистора типа MOSFET: один с каналом P, а другой с каналом N. Эти транзисторы очень хорошо подходят для применения в системах, работающих при низких напряжениях. Кроме того, малое сопротивление открытого канала обеспечивает малое падение напряжения: нагрузка, потребляющая ток 1 А  создает падение напряжения не более 140 мВ при напряжении питания 4,5 В, то есть всего 3% от общего питающего напряжения.

Помимо этого IRF7307 в своем составе имеет демпферный диод, который предназначен для защиты транзистора от выбросов энергии при коммутации индуктивных нагрузок.

H-мост на полевых транзисторах IRF7307

На рисунке ниже приведена принципиальная схема низковольтного мощного H-моста. Для управления использованы логические элементы «И-НЕ» микросхемы CD4093, которые содержат в своей структуре триггер Шмитта. Максимальное напряжение на выходах логических элементов около 50 мВ (по данным Texas Instruments). Это значение достаточно, чтобы вызвать полное открытие или закрытие каналов MOSFET-транзисторов, независимо от входного управляющего напряжения.

nizkovoltnyj-h-most-na-polevyx-tranzistorax-irf7307-1

В случае  если логические элементы будут без триггера Шмитта, то есть риск, что одновременная подача управляющего напряжения выведет из строя транзисторы одной из ветви схемы, а так же испортит источник питания из-за короткого замыкания. Резисторы R1 и R2 формируют входное напряжение при отсутствии сигнала управления.

После сборки не требуются какие-либо настройки, устройство сразу готово к работе. Напряжение питания находится в диапазоне 3-12 вольт и строго ограничено максимальным напряжением MOSFET-транзисторов. В исходном состоянии, при отсутствии нагрузки схема потребляет ток меньше чем 1 мА.

Время переключения логических элементов относительно большое, поэтому желательно чтобы частота коммутации нагрузки не превышала нескольких сотен герц. При большей частоте есть вероятность, что оба канала транзисторов окажутся открытыми, что приведет к большому потреблению тока.

редактор

Добавить комментарий

Ваш электронный адрес не будет опубликован.

*