Характеристика К1109КТ22

К1109КТ22 — интегральная микросхема представляет собой набор мощных составных ключей с защитными диодами на выходе. Наличие защитных диодов позволяет подключать индуктивные нагрузки без дополнительной защиты от выбросов обратного напряжения. Аналогом является микросхема ULN2003 фирм «Texas Instruments» и «STMicroelectronics» Типономиналы: К1109КТ22РБС, К1109КТ22ТБС

Особенности:

  • Номинальный ток коллектора 500 мА (одного ключа)
  • Высоковольтный выход до 50 В
  • Вход совместим с ТТЛ микросхемами
  • Возможность использования в качестве управляющего устройства реле
  • Диапазон рабочих температур минус 60…+125°C

Назначение выводов:

Номер вывода Наименование вывода Номер вывода Наименование вывода
1 Вход 1 9 Катод   диодов
2 Вход 2 10 Выход 7
3 Вход 3 11 Выход 6
4 Вход 4 12 Выход 5
5 Вход 5 13 Выход 4
6 Вход 6 14 Выход 3
7 Вход 7 15 Выход 2
8 Общий 16 Выход 1

Предельные и предельно-допустимые электрические параметры:

Параметр Обозначение Значение
Напряжение коллектор-эмиттер VCE max 50 В
Обратное напряжение защитного диода VR 50 В
Входное напряжение VI max 30 В
Максимальный ток коллектора IC 500 мА
Ток защитного диода IF max 500 мA
Суммарный ток по выводу «Общий» I(max) 2,5 А
Рабочий диапазон температур -60…+125 °С

Электрические параметры (при TА = 25°C)

Наименование параметра

Условное обозначение

Режимы

Норма

не более

Входное напряжение воткрытом остоянии, В VI(on) VCE = 2В IC = 200мА 2,4
IC = 250мА 2,7
IC = 300мА 3
Напряжение коллектор-эмиттер в режиме насыщения, В VCE(sat) II = 250 мкА,IC = 100мА 1,1
II = 350 мкА,IC = 200мА 1,3
II = 500 мкА,IC = 350мА 1,6
Ток отсечки коллектора, мкА ICEX VCE = 50 В, II = 0 50
Прямое падение напряженияна защитном диоде, В VF IF = 350 мА 2
Входной ток, мА II VI = 3,.85 В 1,35
Обратный ток защитного диода, мкА IR VR = 50 В 50

редактор

Добавить комментарий

Ваш электронный адрес не будет опубликован.

*