Транзистор IRF830 : параметры, цоколевка, аналог, datasheet

IRF830 – N-канальный полевой транзистор, изготовленный по технологии MOSFET (КМОП). Это мощный транзистор обладает хорошими техническими характеристиками. Транзистор IRF830  может переключать нагрузки с напряжением до 500 В и током стока 4,5 А.

Одним из существенных недостатков транзистора IRF830 является высокое сопротивления открытого канала,  которое составляет около 1,5 Ом. Следовательно, этот MOSFET транзистор нежелательно использовать в схемах, где требуется высокая эффективность переключения.

Транзистор IRF830 : параметры, цоколевка, аналог, datasheet

Параметры транзистора IRF830

  • Напряжение сток-исток Uси (max): 500В
  • Ток сток-исток при 25 С  Iси (max): 4,5А
  • Напряжение затвор-исток Uзи  (max): ±20В
  • Сопротивление канала в открытом состоянии Rси: 1500 мОм
  • Рассеиваемая мощность Pси  (max): 74Вт
  • Крутизна характеристики : 2.5S
  • Пороговое напряжение на затворе: 2…4В
  • Корпус: TO-220AB

Габаритные и установочные размеры транзистора IRF830

размеры транзистора IRF830

Цоколевка транзистора IRF830

Цоколевка транзистора IRF830

Аналог  транзистора IRF830

зарубежный аналог:

  • BUZ41A
  • D84DR2
  • RFP7N50
  • VN5001D
  • 2SK1751
  • 2SK893
  • BUZ41A
  • STP5NA50

отечественный аналог:

  • КП753А
  • КП830

Datasheet IRF830 (235,0 Kb, скачано: 15)

Добавить комментарий

Ваш электронный адрес не будет опубликован.

*